Transistor bipolaire MPSW01
Caractéristiques électriques du transistor MPSW01
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du MPSW01
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW01
Version SMD du transistor MPSW01
Substituts et équivalents pour le transistor MPSW01
Version sans plomb
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