Transistor bipolaire MPS6560

Caractéristiques électriques du transistor MPS6560

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 25 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du MPS6560

Le MPS6560 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MPS6560

Le transistor PNP complémentaire du MPS6560 est le MPS6562.

Substituts et équivalents pour le transistor MPS6560

Vous pouvez remplacer le transistor MPS6560 par MPS6532, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602 ou MPS6602G.

Version sans plomb

Le transistor MPS6560G est la version sans plomb du MPS6560.
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