Transistor bipolaire SS8050D

Caractéristiques électriques du transistor SS8050D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du SS8050D

Le SS8050D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor SS8050D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du SS8050 est compris entre 85 à 300, celui du SS8050B entre 85 à 160, celui du SS8050C entre 120 à 200.

Complémentaire du transistor SS8050D

Le transistor PNP complémentaire du SS8050D est le SS8550D.

Version SMD du transistor SS8050D

Le FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-D (SOT-23) est la version SMD du transistor SS8050D.

Substituts et équivalents pour le transistor SS8050D

Vous pouvez remplacer le transistor SS8050D par MPS650, MPS650G, MPS8050, MPS8050D ou ZTX690B.
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