Transistor bipolaire SS8050D
Caractéristiques électriques du transistor SS8050D
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 300
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du SS8050D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor SS8050D
Version SMD du transistor SS8050D
Substituts et équivalents pour le transistor SS8050D
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