Caractéristiques électriques du transistor 2SD836A-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 2 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD836A-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD836A-P peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SD836A est compris entre 1000 à 10000, celui du 2SD836A-Q entre 2000 à 5000, celui du 2SD836A-R entre 1000 à 2500.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD836A-P peut n'être marqué que D836A-P.
Complémentaire du transistor 2SD836A-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD836A-P est le 2SB750A-P.