Transistor bipolaire MJF15030G

Caractéristiques électriques du transistor MJF15030G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 36 W
  • Gain de courant (hfe): 40
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE15030G transistor
  • Le MJF15030G est la version sans plomb du transistor MJF15030

Brochage du MJF15030G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJF15030G

Le transistor PNP complémentaire du MJF15030G est le MJF15031G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJF15030G

Vous pouvez remplacer le transistor MJF15030G par BDX53F, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJE5740 ou MJF15030.
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