Transistor bipolaire BD801

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 30
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD801 est le BD802.Vous pouvez remplacer le transistor BD801 par 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC2527, 2SD1196, 2SD1830, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.