Transistor bipolaire BDX53B

Caractéristiques électriques du transistor BDX53B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDX53B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX53B equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX53B

Le transistor PNP complémentaire du BDX53B est le BDX54B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX53B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX53B par 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SD1196, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1830, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T ou TIP142T.

Version sans plomb

Le transistor BDX53BG est la version sans plomb du BDX53B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com