Transistor bipolaire BDX53B
Caractéristiques électriques du transistor BDX53B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BDX53B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Equivalent circuit
Complémentaire du transistor BDX53B
Le transistor
PNP complémentaire du BDX53B est le
BDX54B.
Substituts et équivalents pour le transistor BDX53B
Vous pouvez remplacer le transistor BDX53B par
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1196,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1830,
BD647,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T ou
TIP142T.
Version sans plomb
Le transistor
BDX53BG est la version sans plomb du BDX53B.
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