Transistor bipolaire BDW63C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 60 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW63C est le BDW64C.Vous pouvez remplacer le transistor BDW63C par BD243C, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.