Transistor bipolaire BDX33B

Caractéristiques électriques du transistor BDX33B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDX33B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX33B equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX33B

Le transistor PNP complémentaire du BDX33B est le BDX34B.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX33B

Vous pouvez remplacer le transistor BDX33B par 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP141T ou TIP142T.

Version sans plomb

Le transistor BDX33BG est la version sans plomb du BDX33B.
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