Transistor bipolaire BDW63B
Caractéristiques électriques du transistor BDW63B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 6 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 750 à 20000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BDW63B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor BDW63B
Le transistor
PNP complémentaire du BDW63B est le
BDW64B.
Substituts et équivalents pour le transistor BDW63B
Vous pouvez remplacer le transistor BDW63B par
2SC1986,
2SC2316,
2SD823,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23B,
BDW23C,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E ou
TIP42F.
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