Transistor bipolaire TIP112G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 2 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le TIP112G est la version sans plomb du transistor TIP112

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du TIP112G est le TIP117G.Vous pouvez remplacer le transistor TIP112G par 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1194, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1828, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP112, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T ou TTD1415B.