Transistor bipolaire BDX33BG
Caractéristiques électriques du transistor BDX33BG
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 10 A
- Dissipation de puissance maximum: 70 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Le BDX33BG est la version sans plomb du transistor BDX33B
Brochage du BDX33BG
Equivalent circuit
![BDX33BG equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/bdx33bg-equivalent-circuit.jpg)
Complémentaire du transistor BDX33BG
Substituts et équivalents pour le transistor BDX33BG
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com