Transistor bipolaire BDX33BG

Caractéristiques électriques du transistor BDX33BG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDX33BG est la version sans plomb du transistor BDX33B

Brochage du BDX33BG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX33BG equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX33BG

Le transistor PNP complémentaire du BDX33BG est le BDX34BG.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX33BG

Vous pouvez remplacer le transistor BDX33BG par 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP141T ou TIP142T.
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