Transistor bipolaire BDX53D

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 60 W
• Gain de courant (h_fe): 500
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX53D est le BDX54D.Vous pouvez remplacer le transistor BDX53D par 2N6533, BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D, BDX33D, BDX53E ou BDX53F.