Transistor bipolaire BDT85

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT85 est le BDT86.Vous pouvez remplacer le transistor BDT85 par BD545C, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 ou MJF6388G.