Transistor bipolaire BDX53C

Caractéristiques électriques du transistor BDX53C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDX53C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX53C equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX53C

Le transistor PNP complémentaire du BDX53C est le BDX54C.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX53C

Vous pouvez remplacer le transistor BDX53C par 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD649, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.

Version sans plomb

Le transistor BDX53CG est la version sans plomb du BDX53C.
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