Transistor bipolaire BDW42G

Caractéristiques électriques du transistor BDW42G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 85 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDW42G est la version sans plomb du transistor BDW42

Brochage du BDW42G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDW42G equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDW42G

Le transistor PNP complémentaire du BDW42G est le BDW47G.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW42G

Vous pouvez remplacer le transistor BDW42G par BDW42, BDW43, MJF6388 ou MJF6388G.
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