Transistor bipolaire BDX53BG
Caractéristiques électriques du transistor BDX53BG
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Le BDX53BG est la version sans plomb du transistor BDX53B
Brochage du BDX53BG
Equivalent circuit
![BDX53BG equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/bdx53bg-equivalent-circuit.jpg)
Complémentaire du transistor BDX53BG
Substituts et équivalents pour le transistor BDX53BG
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