Caractéristiques électriques du transistor 2SD1276A-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1276A-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1276A-P peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SD1276 est compris entre 2000 à 10000, celui du 2SD1276-P entre 4000 à 10000, celui du 2SD1276-Q entre 2000 à 5000, celui du 2SD1276A entre 2000 à 10000, celui du 2SD1276A-Q entre 2000 à 5000.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1276A-P peut n'être marqué que D1276A-P.
Complémentaire du transistor 2SD1276A-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1276A-P est le 2SB950A-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1276A-P
