Transistor bipolaire BD649

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 62.5 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BD649 est le BD650.Vous pouvez remplacer le transistor BD649 par 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD651, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.