Transistor bipolaire BDT61B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT61B est le BDT60B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT61B par 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BD649, BD651, BD901, BDT61C, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53C, BDW53D, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDW93C, BDW93CF, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T ou TTD1415B.