Transistor bipolaire BDW53D

Caractéristiques électriques du transistor BDW53D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDW53D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDW53D

Le transistor PNP complémentaire du BDW53D est le BDW54D.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW53D

Vous pouvez remplacer le transistor BDW53D par 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD539D, BD651, BD955, BDT61C, BDT87, BDT87F, BDW63D, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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