Transistor bipolaire TTD1415B

Caractéristiques électriques du transistor TTD1415B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du TTD1415B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor TTD1415B

Le transistor PNP complémentaire du TTD1415B est le TTB1020B.

Substituts et équivalents pour le transistor TTD1415B

Vous pouvez remplacer le transistor TTD1415B par 2N6045, 2N6045G, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1830, 2SD633, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.
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