Transistor bipolaire TTD1415B
Caractéristiques électriques du transistor TTD1415B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 7 A
- Dissipation de puissance maximum: 25 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du TTD1415B
Complémentaire du transistor TTD1415B
Substituts et équivalents pour le transistor TTD1415B
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