Transistor bipolaire BSP52T1G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223
• Le BSP52T1G est la version sans plomb du transistor BSP52T1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BSP52T1G est marqué "BSP52G".Le transistor PNP complémentaire du BSP52T1G est le BSP62T1G.Vous pouvez remplacer le transistor BSP52T1G par BSP52, BSP52T1, BSP52T3 ou BSP52T3G.