Transistor bipolaire MJE802T

Caractéristiques électriques du transistor MJE802T

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du MJE802T

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE802T

Le transistor PNP complémentaire du MJE802T est le MJE702T.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE802T

Vous pouvez remplacer le transistor MJE802T par 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD837A, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, 2SD837A-R, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW23B, BDW23C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJE803T, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T, TIP142T ou TTD1415B.
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