Transistor bipolaire MJE802T
Caractéristiques électriques du transistor MJE802T
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 4 A
- Dissipation de puissance maximum: 50 W
- Gain de courant (hfe): 750
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du MJE802T
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MJE802T
Le transistor
PNP complémentaire du MJE802T est le
MJE702T.
Substituts et équivalents pour le transistor MJE802T
Vous pouvez remplacer le transistor MJE802T par
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD837A,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
2SD837A-R,
BD647,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT61A,
BDT61B,
BDT61C,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW23B,
BDW23C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW53B,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJE803T,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP121,
TIP121G,
TIP122,
TIP122G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T,
TIP142T ou
TTD1415B.
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