Transistor bipolaire BDT61C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 4 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT61C est le BDT60C.Vous pouvez remplacer le transistor BDT61C par BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW53D, BDW63D, BDW73D ou BDX33D.