Transistor bipolaire BDT83F

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 36 W
• Gain de courant (h_fe): 40
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT83F est le BDT84F.Vous pouvez remplacer le transistor BDT83F par BD545B, BD545C, BDT83, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 ou MJF6388G.