Transistor bipolaire BDW53C

Caractéristiques électriques du transistor BDW53C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDW53C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDW53C

Le transistor PNP complémentaire du BDW53C est le BDW54C.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW53C

Vous pouvez remplacer le transistor BDW53C par 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT61B, BDT61C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW53D, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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