Transistor bipolaire BDW53B
Caractéristiques électriques du transistor BDW53B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 4 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 750 à 20000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BDW53B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor BDW53B
Le transistor
PNP complémentaire du BDW53B est le
BDW54B.
Substituts et équivalents pour le transistor BDW53B
Vous pouvez remplacer le transistor BDW53B par
2SC1986,
2SC2075,
2SC2316,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD772,
2SD792,
2SD823,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT61A,
BDT61B,
BDT61C,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23B,
BDW23C,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJE802T,
MJE803T,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E ou
TIP42F.
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