Transistor bipolaire KSB601

Caractéristiques électriques du transistor KSB601

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KSB601

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB601 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 15000. Le gain en courant continu du KSB601-O est compris entre 3000 à 7000, celui du KSB601-R entre 2000 à 5000, celui du KSB601-Y entre 5000 à 15000.

Complémentaire du transistor KSB601

Le transistor PNP complémentaire du KSB601 est le KSD560.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB601

Vous pouvez remplacer le transistor KSB601 par 2N6045, 2N6045G, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSD560, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F ou TTD1415B.
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