Transistor bipolaire 2N6532

Caractéristiques électriques du transistor 2N6532

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 10000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2N6532

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6532

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6532 par 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6533, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G ou TIP142T.
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