Bipolartransistor BCP53-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP53-10

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP53-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCP53-10 ist der BCP56-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP53-10

Sie können den Transistor BCP53-10 durch einen BCP53, BDP952, BDP954 oder BDP956 ersetzen.
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