Bipolartransistor BCP53-10
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP53-10
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
- Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
Pinbelegung des BCP53-10
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP53-10
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