Bipolartransistor KSB1149-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 6000 bis 20000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1149-K transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1149-G kann eine Gleichstromverstärkung von 6000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1149 liegt im Bereich von 2000 bis 20000, die des KSB1149-O im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB1149-Y im Bereich von 4000 bis 12000.Sie können den Transistor KSB1149-G durch einen BD682, BD682G oder MJE254 ersetzen.