Bipolartransistor BD680G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD680G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Der BD680G ist die bleifreie Version des BD680-Transistors
Pinbelegung des BD680G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD680G
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