Bipolartransistor BD680G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD680G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD680G ist die bleifreie Version des BD680-Transistors

Pinbelegung des BD680G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD680G ist der BD679G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD680G

Sie können den Transistor BD680G durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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