Bipolartransistor KSB1149

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1149

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149 transistor

Pinbelegung des KSB1149

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB1149 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1149-G liegt im Bereich von 6000 bis 20000, die des KSB1149-O im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB1149-Y im Bereich von 4000 bis 12000.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1149

Sie können den Transistor KSB1149 durch einen BD682, BD682G oder MJE254 ersetzen.
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