Bipolartransistor KSB1149
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1149
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
- Verlustleistung, max: 15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB1149 transistor
Pinbelegung des KSB1149
Klassifizierung von hFE
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1149
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