Bipolartransistor BD682G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD682G

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Der BD682G ist die bleifreie Version des BD682-Transistors

Pinbelegung des BD682G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD682G ist der BD681G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD682G

Sie können den Transistor BD682G durch einen BD682 ersetzen.

Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com