Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1167-T
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1167-T
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1167-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1167 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1167-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1167-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1167-S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1167-T-Transistor könnte nur mit "B1167-T" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1167-T ist der 2SD1724-R.
SMD-Version des Transistors 2SB1167-T
Der BDP954 (SOT-223) und BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1167-T-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1167-T
Sie können den Transistor 2SB1167-T durch einen 2SB1168, 2SB1168-T oder MJE254 ersetzen.
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