Bipolartransistor 2SB1167-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1167-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1167-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1167-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1167 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1167-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1167-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1167-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1167-T-Transistor könnte nur mit "B1167-T" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1167-T ist der 2SD1724-R.

SMD-Version des Transistors 2SB1167-T

Der BDP954 (SOT-223) und BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1167-T-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1167-T

Sie können den Transistor 2SB1167-T durch einen 2SB1168, 2SB1168-T oder MJE254 ersetzen.
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