Bipolartransistor KSB1149-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1149-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149-M transistor

Pinbelegung des KSB1149-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB1149-O kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1149 liegt im Bereich von 2000 bis 20000, die des KSB1149-G im Bereich von 6000 bis 20000, die des KSB1149-Y im Bereich von 4000 bis 12000.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1149-O

Sie können den Transistor KSB1149-O durch einen 2SB1149, 2SB1149-M, BD682, BD682G oder MJE254 ersetzen.
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