Bipolartransistor 2SB1149-K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1149-K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1149-K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1149-K kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1149 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des 2SB1149-L im Bereich von 3000 bis 7000, die des 2SB1149-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1149-K-Transistor könnte nur mit "B1149-K" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1149-K

Sie können den Transistor 2SB1149-K durch einen BD682, BD682G, KSB1149 oder MJE254 ersetzen.
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