Bipolartransistor MJE703

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE703

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE703

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE703 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE703 ist der MJE803.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE703

Sie können den Transistor MJE703 durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G oder MJE703G ersetzen.
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