Bipolartransistor MJE703G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE703G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE703G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE703G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE703G ist der MJE803G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE703G

Sie können den Transistor MJE703G durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G oder MJE703 ersetzen.
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