Bipolartransistor BD780

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD780

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD780

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD780 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD780 ist der BD779.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD780

Sie können den Transistor BD780 durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, KSE702, KSE703, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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