Bipolartransistor MJE702G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE702G

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE702G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE702G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE702G ist der MJE802G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE702G

Sie können den Transistor MJE702G durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702, MJE703 oder MJE703G ersetzen.

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