Bipolartransistor 2N6036G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6036G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 25 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der 2N6036G ist die bleifreie Version des 2N6036-Transistors

Pinbelegung des 2N6036G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6036G ist der 2N6039G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6036G

Sie können den Transistor 2N6036G durch einen 2N6036, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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