Bipolartransistor MJE271G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1500
• Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Der MJE271G ist die bleifreie Version des MJE271-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE271G ist der MJE270G.Sie können den Transistor MJE271G durch einen 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y oder MJE271 ersetzen.