Bipolartransistor BD180-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD180-6

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD180-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD180-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD180 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD180-10 im Bereich von 63 bis 160.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD180-6 ist der BD179-6.

SMD-Version des Transistors BD180-6

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD180-6-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD180-6

Sie können den Transistor BD180-6 durch einen 2N4920, 2N4920G, 2N5195, 2N5195G, BD180G, BD442, BD442G, BD790, BD792, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254 oder NTE185 ersetzen.
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