Bipolartransistor MJE702

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE702

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE702

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJE702 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE702 ist der MJE802.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE702

Sie können den Transistor MJE702 durch einen 2N6036, 2N6036G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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