Bipolartransistor 2SD2375-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2375-P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 800 bis 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD2375-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD2375-P kann eine Gleichstromverstärkung von 800 bis 1500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2375 liegt im Bereich von 500 bis 1500, die des 2SD2375-Q im Bereich von 500 bis 1000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2375-P-Transistor könnte nur mit "D2375-P" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD2375-P

Sie können den Transistor 2SD2375-P durch einen 2N6531, 2N6533, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2315, 2SC2316, 2SC3179, 2SC3852, 2SC3852A, 2SD1273, 2SD1273A, 2SD1273AP, 2SD1273P, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD2396, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD645, BD647, BD649, BD651, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT61, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23A, BDW23B, BDW23C, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93A, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD1273, KSD1273P, MJE15028, MJE15028G, MJE800T, MJE801T, MJE802T, MJE803T, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
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