Bipolartransistor 2SD1273AP

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1273AP

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 800 bis 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1273AP

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1273AP kann eine Gleichstromverstärkung von 800 bis 1500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1273A liegt im Bereich von 500 bis 2500, die des 2SD1273AO im Bereich von 1200 bis 2500, die des 2SD1273AQ im Bereich von 500 bis 1000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1273AP-Transistor könnte nur mit "D1273AP" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1273AP

Sie können den Transistor 2SD1273AP durch einen 2N6531, 2N6533, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2316, 2SC3852A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BD951, BD953, BD955, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23B, BDW23C, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE802T, MJE803T, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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