Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1096A-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA1096A-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1096A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1096A liegt im Bereich von 80 bis 220, die des 2SA1096A-R im Bereich von 120 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1096A-Q-Transistor könnte nur mit "A1096A-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1096A-Q ist der 2SC2497A-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1096A-Q
Der FMMT551 (SOT-23) und KTA1668 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1096A-Q-Transistors.