Caractéristiques électriques du transistor 2SB1017-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -4 A
Dissipation de puissance maximum: 25 W
Gain de courant (hfe): 40 à 80
Fréquence de transition minimum: 9 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1017-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1017-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB1017 est compris entre 40 à 240, celui du 2SB1017-O entre 70 à 140, celui du 2SB1017-Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1017-R peut n'être marqué que B1017-R.
Complémentaire du transistor 2SB1017-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1017-R est le 2SD1408-R.
Version SMD du transistor 2SB1017-R
Le BDP952 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1017-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1017-R